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6.3um 中紅外高功耗臺式FP-QCL量子級聯(lián)激光器150mW（臺式光源） 6.3um高功耗臺式FP-QCL量子級聯(lián)激光器是上海筱曉光子開發(fā)的連續(xù)光激光器，輸出光功率比較高，準直輸出功率有幾百毫瓦，能夠滿足中紅外測試的光源條件。并且臺式FP-QCL激光器模塊內部集成了驅動，溫控模塊，還可以用軟件控制調諧激光器的溫度和工作電流，能夠讓激光器穩(wěn)定工作，保持測量數(shù)值的準確性。

QCL5184DFB-5.18um高功耗臺式DFB-QCL中紅外量子級聯(lián)激光器是筱曉2019上半年開發(fā)出的中紅外測試激光，大氣窗口低損耗有利于空間光通訊測試研究。我們的臺式光源功率高不需要ITAR審核，是目前商用中紅外測試光源的優(yōu)秀選擇。超過100nm的可調諧范圍，輸出功率大于100mw滿足客戶測試的工業(yè)需求。我們的激光器內置Znse準直輸出輸出功率穩(wěn)定，溫度波長穩(wěn)定性*比傳統(tǒng)大功耗的量子級聯(lián)激

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）應用而設計,內置防靜電（ESD）保護.

1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。